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APTGV30H60T3G 零件图片(仅供参考)

APTGV30H60T3G
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APTGV30H60T3G 规格参数

  • 制造商产品型号:APTGV30H60T3G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
  • 系列:晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态:停产
  • IGBT类型:NPT,沟槽型场截止
  • 配置:全桥反相器
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):50A
  • 功率-最大值:90W
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A
  • 电流-集电极截止(最大值):250A
  • 不同Vce时输入电容(Cies):1.6nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装:SP3
  • APTGV30H60T3G,Actel产品一站式供应商。
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APTGV30H60T3G 基本参数:

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